16
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
VDD
=28Vdc,IDQA
=IDQB
= 330 mA, Pout
=42WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1760
3.12 -- j7.74
4.39 -- j7.66
1780
3.13 -- j7.35
4.44 -- j7.38
1800
3.21 -- j7.12
4.50 -- j7.30
1820
3.20 -- j7.05
4.42 -- j7.31
1840
3.08 -- j6.98
4.26 -- j7.28
1860
2.95 -- j6.82
4.10 -- j7.15
1880
2.88 -- j6.57
4.00 -- j6.92
1900
2.87 -- j6.21
3.95 -- j6.62
1920
2.89 -- j5.85
3.94 -- j6.36
Note: Measured with Lower side open.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 28. Series Equivalent Source and Load Impedance ? Upper Side ? GSM EDGE
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
VDD
=28Vdc,IDQA
=IDQB
= 330 Vdc, Pout
=42WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1760
3.72 -- j7.89
3.55 -- j5.43
1780
3.77 -- j7.60
3.62 -- j5.09
1800
3.82 -- j7.48
3.76 -- j4.85
1820
3.72 -- j7.46
3.87 -- j4.75
1840
3.55 -- j7.37
3.90 -- j4.66
1860
3.39 -- j7.16
3.92 -- j4.52
1880
3.29 -- j6.85
3.96 -- j4.31
1900
3.24 -- j6.48
4.03 -- j4.02
1920
3.22 -- j6.17
4.13 -- j3.71
Note: Measured with Upper side open.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 29. Series Equivalent Source and Load Impedance ? Lower Side ? GSM EDGE
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF8P20140WHSR3
FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4
MRF8P20161HSR3
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
MRF8P20165WHSR3
FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4
MRF8P23080HSR3
FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780S-4
MRF8P9040GNR1
IC MOSFET RF N-CHAN TO-270
MRF8P9300HSR6
FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS
MRF8S18120HR5
MOSFET RF N-CH 120W NI-780
MRF8S18260HSR6
MOSFET RF N-CH 260W NI1230S-8
相关代理商/技术参数
MRF8P20100HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20160HR3
功能描述:DISCRETE RF FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF8P20160HR5
功能描述:DISCRETE RF FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF8P20160HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 160W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray